亚洲欧美日韩国产综合V,精品少妇无码AV无码专区,日韩精品国产99久久久久久,深田えいみ在线无码播放

碳化硅是一種具有優秀的物理和化學性質以及良好生物相容性的間接帶隙半導體,它的塊體材料的發光效率極低。由于量子限制效應,當把碳化硅的尺寸減小到小于大約十納米時,它將具有很強的波長連續可調的發光,這使得碳化硅納米材料具有良好的應用前景。然而,人們對于碳化硅納米材料的發光機制尚未完全理解,而碳化硅量子點由于自身的性質使其在做成固體薄膜時容易團聚而不發光。

通過一步法完成SiC量子點的合成和表面改性,并對其微觀結構、光學性質和理化性質進行了表征,結果表明該量子點半徑小于激子波爾半徑,導致了量子限制效應現象而產生光致發光,通過對其紅外光譜的分析發現碳化硅量子點表面既已耦合了巰基,因此該量子點可以作為量子點標記技術中又一種新型的標記材料,然后用SiC量子水相溶液對有、無根皮苷環境下的串珠鐮刀菌進行標記并長時程熒光成像,同時讓已成功標記的該菌侵染蘋果植株幼苗,試驗表明,根皮苷能夠促進串珠鐮刀菌的生長,主要表現在菌落成長的速度和數量上,進一步研究發現,串珠鐮刀菌生長態勢隨周圍環境中根皮苷含量的增加而更趨旺盛,此外串珠鐮刀菌對蘋果幼苗侵染的動態示蹤過程表明幼苗的第一感染部位為根毛區

相關資料

SiC碳化硅量子點

巰基修飾的SiC碳化硅量子點

氨基功能化SiC碳化硅量子點

羧基修飾SiC碳化硅量子點

NHS修飾SiC碳化硅量子點

碳化硅(SiC)量子點熒光材料

立方相碳化硅量子點半導體納米球

PEG包裹碳化硅(SiC)量子點熒光材料

三元量子點CdSeTe

多巴胺修飾的三元量子點

ZnCdTe/ZnS三元熒光量子點

三元CdPbSe熒光量子點

三元黃銅礦CuGaS2量子點

 Cu2MoS4熒光量子點

水相AgInS2@PEI量子點

葉酸修飾的AgInS2量子點

三元核殼結構CuInS2/ZnS量子點

POSS-CdTe量子點

谷胱甘肽穩定的CdTe量子點

 二氧化硅包裹碲化鎘量子點

巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點

氮硫共摻雜碳量子點(NSCQDs)

丁基氨基硫脲修飾碳量子點熒光探針

a-烷基吲哚乙酸碲化鎘量子點(CdTe-QDs-IAA)熒光探針

紅色熒光的羥基磷灰石/碲化鎘(HAp/CdTe)熒光探針

 聚苯乙烯修飾CdSe/ZnS熒光量子

Ag/ZnS熒光量子點

二硫化鎢熒光量子點(WS2 QDs)

AEE熒光分子DPPBPA

PEG包覆CuInS2熒光量子點

POSS修飾CdSeTe熒光量子點

 羧基酞菁鋅共價偶聯介孔二氧化硅

碳納米角/CdTe量子點復合納米材料

聚丙烯酸包覆的PAA-CdSe/ZnS量子點

溫敏性聚合物/熒光碳點雜化材料(PNIPAM/CDs)

氨基羧基修飾氧化鎢量子點

基因載體—碳量子點(PEI-GT-CDs)

碳量子點CQDs雜化CdIn2S4復合材料

透明質酸-聚乙烯亞胺功能化碳量子點(HA-PEI-CDs) 

聚苯胺包覆CdSeTe量子點