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氮化硼納米薄膜和納米管具有出眾的光學性能，適于制作深紫外發射器和各種光電納米器件。除此之外，氮化硼納米薄膜還具有壓電性、高導熱、超疏水、超高層間粘滯摩擦力、催化及生物相容性等優異的性能。因此，氮化硼納米薄膜在耐高溫、高強度功能復合材料和生物醫學等領域有巨大的應用潛力。

氮化硼納米薄膜材料制備

氮化硼納米薄膜材料制備方法與合成石墨烯相似，主要有機械剝離法、化學剝離、化學氣相沉積、高能電子輻照等。

1、機械剝離法

機械剝離法制備氮化硼納米薄膜材料，首先是采用濕法球磨從氮化硼粉體上制備氮化硼納米薄片，將氮化硼薄膜剝離的作用力為剪切力。該法加入了苯甲酸芐酯作為球磨助劑，以減小球磨時對氮化硼薄膜的碰撞和破壞。

2、化學剝離法

化學剝離法是利用化學溶液法從單晶氮化硼制備了單個和數個原子層氮化硼納米薄片。將單晶氮化硼放入5ml的m-苯乙烯、2，5-苯乙烯共聚物的1，2-二氯乙烷溶液（1.2mg/10ml）中超聲分散1h后，氮化硼晶體剝離成片狀氮化硼。

3、化學氣相沉積法

化學氣相沉積法制備氮化硼納米薄膜主要分為外延生長和非外延生長。

（1）外延生長

外延生長制備氮化硼納米薄膜是采用二元系統先驅體（BF₃-NH₃、BCl₃-NH₃、B₂H₆-NH₃），或者采用單一先驅體進行熱解，例如環硼氮烷（BN₃H₆）、三氯環硼氮烷（B₃N₃H₃Cl₃）或者六氯環硼氮烷（B₃N₃H₃Cl₆）。其中，由環硼氮烷的熱解可以沉積出化學計量比為1:1的氮化硼薄膜。

目前，在金屬鎳表面上沉積單原子層六方氮化硼納米薄膜的研究較為熱門。研究表明，鎳的d軌道與六方氮化硼的π軌道存在很大程度的雜化，這說明在六方氮化硼和金屬基底之間有很強的結合。

（2）非外延生長

非外延生長以氧化硼（B₂O₃）和三聚氰胺粉體作為先驅體，通過控制不同的生長溫度（1100-1300℃），可將氮化硼薄膜的厚度控制在25-50nm之間。氮化硼納米薄膜材料的層數由反應物的濃度決定。

4、高能電子輻照法

高能電子輻照法制備氮化硼納米薄膜是以機械剝離法制備BN納米薄片或納米粉體為原料，采用用密集的電子束輻照對獲得的薄片和粉體進行減薄。通過電子束的手動掃描，BN納米薄片被逐層減薄，直至獲得單原子層的BN納米薄膜材料。

5、離子束濺射沉積法

離子束濺射沉積法制備氮化硼納米薄膜是以純度為99.5%的Ni箔為基底進行六方氮化硼薄膜的沉積。首先將Ni箔由輔助離子源進行原位預刻蝕，然后在1000℃下退火10min。然后在主離子源發出的氬離子束從六方氮化硼靶材上濺射出B原子和N原子，在預處理后的Ni箔上進行沉積，制備氮化硼納米薄膜材料。

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