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刻蝕工藝
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刻蝕(Etch)是按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性刻蝕的技術,它是半導體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。刻蝕分為干法刻蝕和濕法腐蝕。西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。       
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單層 單原子Pt 摻雜 Ti3C2 mxene,CAS12363-89-2 產品信息: 名稱:單層 單原子Pt 摻雜 Ti3C2 mxene 尺寸:1-5um 產品性能:高分散的單原子Pt在Ti3C2的缺陷終 官能團:-OH-F-O-Cl(可定制) 純度: 99% 儲存條件:低溫干燥密封 工藝:HF處理或HCl+LiF處理,超低溫下剝離成單層,再一步還原法摻雜Pt原子 應用領域:儲能、催化、分析化學、力學、吸附、生物、微電子、傳感器等 尺寸工藝均可定制,是西安瑞禧生物科技有限公司提供的科研試劑材料。
單層Ti3C2 EtOH/MeOH/IPA/MeCN/DMSO/DMF/NMP/PC 膠體溶液 產品信息: 產品名稱:單層Ti3C2Tx EtOH/MeOH/IPA/MeCN/DMSO/DMF/NMP/PC 膠體溶液 官能團:-OH-F-O-Cl(可定制) 尺寸:1-5um 純度: 99% 儲存條件:低溫干燥密封務必惰性氣氛中保存 工藝:HF處理或HCl+LiF處理,是西安瑞禧生物科技有限公司提供的科研試劑材料。
單層小尺寸(小于100nm) Ti3C2 水溶液,CAS12363-89-2 產品信息: 產品名稱:單層小尺寸(小于100nm) Ti3C2Tx 水溶液 官能團:-OH-F-O-Cl(可定制) 純度: 99% 儲存條件:低溫干燥密封務必惰性氣氛中保存 工藝:HF處理或HCl+LiF處理,是西安瑞禧生物科技有限公司提供的科研試劑材料。
單層大尺寸(>5微米)Ti3C2 -mxene 膠體溶液,CAS12363-89-2 產品信息: 產品名稱:單層大尺寸(>5微米)Ti3C2 -mxene 膠體溶液 尺寸:>5微米 純度: 99% 儲存條件:低溫干燥密封務必惰性氣氛中保存 工藝:HF處理或HCl+LiF處理,是西安瑞禧生物科技有限公司提供的科研試劑材料。
單層Ti3C2 乙醇 膠體溶液,CAS12363-89-2 產品信息: 名稱:單層Ti3C2Tx 乙醇 膠體溶液 官能團:-OH-F-O-Cl(可定制) 尺寸:1-5um 純度: 99% 儲存條件:低溫干燥密封務必惰性氣氛中保存 工藝:HF處理或HCl+LiF處理,是西安瑞禧生物科技有限公司提供的科研試劑材料。
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