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Home > Products > Synthetic chemistry> 生物納米系列> CVD法 氧化硅基底單層石墨烯薄膜
CVD法 氧化硅基底單層石墨烯薄膜
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產品名稱:CVD法 氧化硅基底單層石墨烯薄膜




產品性質




薄膜顏色:無色透明




產品牌號: JCGRFSIO




方阻:單層A 300-600 Ω/□ 單層B 700-1500 Ω/□ 少層 500-1200Ω/□






石墨烯薄膜的層數為單層或少層(小于10層)。該薄膜完整性高,單層覆蓋率高,導電性好,遷移率可達~6000cm2/vs。




石墨烯轉移至氧化硅片上,客戶也可以自己提供氧化硅片,我們轉移。




氧化硅參數:




類型:P型重摻雜(R:3×10-3Ωcm)




厚度:525±20μm




氧化層厚度:300nm




最大可做 7cm*7cm(可內接4英寸氧化硅基底或滿轉)






本產品應密封保存于干燥環(huán)境中,且溫度低于35℃。嚴禁與易揮發(fā)物質和污染源接觸。遠離火源。




備注:A級單層覆蓋率大于97% ,B級單層覆蓋率大于85%,少層石墨烯厚度在10 層以內,可提供定制服務


西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 
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